0 0 0
  8. IPP80R1K2P7XKSA1

Транзисторы с каналом N THT IPP80R1K2P7XKSA1

 
IPP80R1K2P7XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078498
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
110.44 грн
3+
97.82 грн
10+
89.14 грн
12+
85.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 383 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO220-3(1599688)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
3,1А(1441251)
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
37Вт(1740770)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
11нC(1479181)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,077 g
 
Транзисторы с каналом N THT IPP80R1K2P7XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078498
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
110.44 грн
3+
97.82 грн
10+
89.14 грн
12+
85.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 383 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO220-3
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
3,1А
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
37Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
11нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,077 g