0 0 0
  8. IPP80R450P7XKSA1

Транзисторы с каналом N THT IPP80R450P7XKSA1

 
IPP80R450P7XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 401955
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 7,1А; Idm: 29А; 73Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
188.05 грн
3+
168.93 грн
8+
129.88 грн
22+
122.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 67 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO220-3(1599688)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
7,1А(1601649)
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
73Вт(1598008)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
29А(1810501)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,067 g
 
Транзисторы с каналом N THT IPP80R450P7XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 401955
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 7,1А; Idm: 29А; 73Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
188.05 грн
3+
168.93 грн
8+
129.88 грн
22+
122.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 67 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO220-3
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
7,1А
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
73Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
29А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,067 g