0 0 0
  8. IPS80R600P7AKMA1

Транзисторы с каналом N THT IPS80R600P7AKMA1

 
IPS80R600P7AKMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078520
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,5А; 60Вт; IPAK SL
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
83.96 грн
5+
76.19 грн
18+
58.31 грн
47+
55.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK SL(1714164)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
5,5А(1492307)
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
60Вт(1701959)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
20нC(1479267)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N THT IPS80R600P7AKMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078520
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,5А; 60Вт; IPAK SL
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
83.96 грн
5+
76.19 грн
18+
58.31 грн
47+
55.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
IPAK SL
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
5,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
60Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
20нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g