0 0 0
  8. IPT007N06NATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPT007N06NATMA1

 
IPT007N06NATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076448
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300А; Idm: 1200А; 375Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
521.62 грн
4+
312.97 грн
9+
295.97 грн
1000+
292.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-HSOF-8(1599745)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
300А(1479599)
Сопротивление в открытом состоянии
0,7мОм(1603196)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
375Вт(1741741)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
лента(1437179)
Заряд затвора
216нC(1479562)
Технология
OptiMOS™(1596284)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1,2кА(1714539)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPT007N06NATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076448
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300А; Idm: 1200А; 375Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
521.62 грн
4+
312.97 грн
9+
295.97 грн
1000+
292.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-HSOF-8
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
300А
Сопротивление в открытом состоянии
0,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
375Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
216нC
Технология
OptiMOS™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1,2кА
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g