0 0 0
  7. IR2010PBF

Драйверы MOSFET/IGBT IR2010PBF

 
IR2010PBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 102514
IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
516.98 грн
3+
355.47 грн
8+
336.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 23 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
DIP14(1437841)
Мощность
1,6Вт(1442237)
Напряжение питания
10...20В DC(1492932)
Время включения
95нс(1492930)
Время выключения
65нс(1441730)
Выходной ток
-3...3А(1711653)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Кол-во каналов
2(1443907)
Характеристики интегральных схем
генератор подкачки заряда(1600599) мертвое время(1600602) integrated bootstrap functionality(1619534)
Вид упаковки
туба(1443467)
Вид микросхемы
high-/low-side(1503921) контроллер затвора(1617856)
Топология
полумост MOSFET(1612559)
Класс напряжения
200В(1711087)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,016 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT IR2010PBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 102514
IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
516.98 грн
3+
355.47 грн
8+
336.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 23 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
DIP14
Мощность
1,6Вт
Напряжение питания
10...20В DC
Время включения
95нс
Время выключения
65нс
Выходной ток
-3...3А
Тип микросхемы
driver
Кол-во каналов
2
Характеристики интегральных схем
генератор подкачки заряда
Характеристики интегральных схем
мертвое время
Характеристики интегральных схем
integrated bootstrap functionality
Вид упаковки
туба
Вид микросхемы
high-/low-side
Вид микросхемы
контроллер затвора
Топология
полумост MOSFET
Класс напряжения
200В
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,016 g