0 0 0
  7. IR2011PBF

Драйверы MOSFET/IGBT IR2011PBF

 
IR2011PBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 102516
IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
347.01 грн
3+
306.82 грн
4+
267.41 грн
11+
252.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
DIP8(1437854)
Мощность
1Вт(1436899)
Напряжение питания
10...20В DC(1492932)
Время включения
80нс(1441700)
Время выключения
60нс(1441746)
Выходной ток
-1...1А(1711650)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Кол-во каналов
2(1443907)
Вид упаковки
туба(1443467)
Вид микросхемы
high-/low-side(1503921) контроллер затвора(1617856)
Топология
полумост MOSFET(1612559)
Класс напряжения
200В(1711087)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,52 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT IR2011PBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 102516
IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
347.01 грн
3+
306.82 грн
4+
267.41 грн
11+
252.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
DIP8
Мощность
1Вт
Напряжение питания
10...20В DC
Время включения
80нс
Время выключения
60нс
Выходной ток
-1...1А
Тип микросхемы
driver
Кол-во каналов
2
Вид упаковки
туба
Вид микросхемы
high-/low-side
Вид микросхемы
контроллер затвора
Топология
полумост MOSFET
Класс напряжения
200В
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,52 g