Драйверы MOSFET/IGBT IR2184SPBF

 
IR2184SPBF
 
Артикул: 102599
IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
238.07 грн
3+
214.90 грн
7+
164.57 грн
17+
155.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Мощность
625мВт(1440828)
Напряжение питания
10...20В DC(1492932)
Время включения
680нс(1492936)
Время выключения
270нс(1713783)
Выходной ток
-2,3...1,9А(1713782)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Кол-во каналов
2(1443907)
Характеристики интегральных схем
генератор подкачки заряда(1600599) мертвое время(1600602) integrated bootstrap functionality(1619534)
Вид упаковки
туба(1443467)
Защита
от короткого замыкания(1450086) от снижения напряжения(1600603)
Вид микросхемы
high-/low-side(1503921) контроллер затвора(1617856)
Топология
полумост MOSFET(1612559)
Класс напряжения
600В(1711085)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,078 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT IR2184SPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 102599
IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
238.07 грн
3+
214.90 грн
7+
164.57 грн
17+
155.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Мощность
625мВт
Напряжение питания
10...20В DC
Время включения
680нс
Время выключения
270нс
Выходной ток
-2,3...1,9А
Тип микросхемы
driver
Кол-во каналов
2
Характеристики интегральных схем
генератор подкачки заряда
Характеристики интегральных схем
мертвое время
Характеристики интегральных схем
integrated bootstrap functionality
Вид упаковки
туба
Защита
от короткого замыкания
Защита
от снижения напряжения
Вид микросхемы
high-/low-side
Вид микросхемы
контроллер затвора
Топология
полумост MOSFET
Класс напряжения
600В
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,078 g