0 0 0
  7. IR2184STRPBF

Драйверы MOSFET/IGBT IR2184STRPBF

 
IR2184STRPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 102600
IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
246.54 грн
3+
229.54 грн
8+
123.66 грн
22+
116.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2698 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Мощность
625мВт(1440828)
Напряжение питания
10...20В DC(1492932)
Время включения
680нс(1492936)
Время выключения
270нс(1713783)
Выходной ток
-2,3...1,9А(1713782)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Кол-во каналов
2(1443907)
Характеристики интегральных схем
генератор подкачки заряда(1600599) мертвое время(1600602) integrated bootstrap functionality(1619534)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Защита
от короткого замыкания(1450086) от снижения напряжения(1600603)
Вид микросхемы
high-/low-side(1503921) контроллер затвора(1617856)
Топология
полумост MOSFET(1612559)
Класс напряжения
600В(1711085)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,104 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT IR2184STRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 102600
IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
246.54 грн
3+
229.54 грн
8+
123.66 грн
22+
116.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2698 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Мощность
625мВт
Напряжение питания
10...20В DC
Время включения
680нс
Время выключения
270нс
Выходной ток
-2,3...1,9А
Тип микросхемы
driver
Кол-во каналов
2
Характеристики интегральных схем
генератор подкачки заряда
Характеристики интегральных схем
мертвое время
Характеристики интегральных схем
integrated bootstrap functionality
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Защита
от короткого замыкания
Защита
от снижения напряжения
Вид микросхемы
high-/low-side
Вид микросхемы
контроллер затвора
Топология
полумост MOSFET
Класс напряжения
600В
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,104 g