0 0 0
  8. IRF1010EPBF

Транзисторы с каналом N THT IRF1010EPBF

 
IRF1010EPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078620
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 81А; 170Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
96.40 грн
3+
94.85 грн
10+
80.08 грн
21+
49.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 62 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
81А(1479447)
Сопротивление в открытом состоянии
12мОм(1441505)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
170Вт(1740761)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
86,6нC(1479449)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,94 g
 
Транзисторы с каналом N THT IRF1010EPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078620
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 81А; 170Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
96.40 грн
3+
94.85 грн
10+
80.08 грн
21+
49.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 62 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
81А
Сопротивление в открытом состоянии
12мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
170Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
86,6нC
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,94 g