0 0 0
  8. IRF1010ESTRLPBF

Транзисторы с каналом N SMD IRF1010ESTRLPBF

 
IRF1010ESTRLPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 401891
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 59А; Idm: 330А; 200Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
75.74 грн
5+
68.01 грн
19+
54.10 грн
51+
51.01 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 678 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
59А(1479396)
Сопротивление в открытом состоянии
12мОм(1441505)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
200Вт(1701925)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
330А(1758589)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,716 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IRF1010ESTRLPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 401891
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 59А; Idm: 330А; 200Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
75.74 грн
5+
68.01 грн
19+
54.10 грн
51+
51.01 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 678 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
59А
Сопротивление в открытом состоянии
12мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
200Вт
Полярность
полевой
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
330А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,716 g