0 0 0
  8. IRF1018ESTRLPBF

Транзисторы с каналом N SMD IRF1018ESTRLPBF

 
IRF1018ESTRLPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 401892
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 56А; Idm: 315А; 110Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
73.82 грн
5+
66.84 грн
20+
50.96 грн
55+
48.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 766 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
56А(1479382)
Сопротивление в открытом состоянии
8,4мОм(1479402)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
315А(1810506)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,677 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IRF1018ESTRLPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 401892
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 56А; Idm: 315А; 110Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
73.82 грн
5+
66.84 грн
20+
50.96 грн
55+
48.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 766 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
56А
Сопротивление в открытом состоянии
8,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
315А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,677 g