0 0 0
  8. IRF3808STRLPBF

Транзисторы с каналом N SMD IRF3808STRLPBF

 
IRF3808STRLPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 401895
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 75А; Idm: 550А; 200Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
144.52 грн
5+
129.84 грн
10+
99.70 грн
28+
94.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 668 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
75В(1441319)
Ток стока
75А(1441317)
Сопротивление в открытом состоянии
7мОм(1441318)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
200Вт(1701925)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
550А(1758584)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,689 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IRF3808STRLPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 401895
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 75А; Idm: 550А; 200Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
144.52 грн
5+
129.84 грн
10+
99.70 грн
28+
94.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 668 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
75В
Ток стока
75А
Сопротивление в открытом состоянии
7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
200Вт
Полярность
полевой
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
550А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,689 g