Транзисторы с каналом N SMD IRF6618TRPBF

 
IRF6618TRPBF
 
Артикул: 139207
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 29А; 89Вт; DirectFET
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
4800+
152.99 грн
Мин. заказ: 4800
Кратность:  4800
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DirectFET(1479280)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
29А(1479295)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
89Вт(1708594)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 430 mg
 
Транзисторы с каналом N SMD IRF6618TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 139207
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 29А; 89Вт; DirectFET
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
4800+
152.99 грн
Мин. заказ: 4800
Кратность:  4800
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
DirectFET
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
29А
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
89Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 430 mg