Транзисторы многоканальные IRF7342TRPBF

 
IRF7342TRPBF
 
Артикул: 000367
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.65 грн
5+
42.61 грн
25+
35.77 грн
30+
32.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 7730 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-55В(1478943)
Ток стока
-3,4А(1479073)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,117 g
 
Транзисторы многоканальные IRF7342TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000367
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.65 грн
5+
42.61 грн
25+
35.77 грн
30+
32.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 7730 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-55В
Ток стока
-3,4А
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,117 g