0 0 0
  7. IRF7343TRPBF

Транзисторы многоканальные IRF7343TRPBF

 
IRF7343TRPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000368
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
70.76 грн
10+
59.79 грн
25+
46.96 грн
36+
27.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 956 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
55/-55В(1596058)
Ток стока
4,7/-3,4А(1596059)
Сопротивление в открытом состоянии
50/105мОм(1596060)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,12 g
 
Транзисторы многоканальные IRF7343TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000368
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
70.76 грн
10+
59.79 грн
25+
46.96 грн
36+
27.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 956 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
55/-55В
Ток стока
4,7/-3,4А
Сопротивление в открытом состоянии
50/105мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,12 g