Транзисторы с каналом P SMD IRF7606TRPBF

 
IRF7606TRPBF
 
Артикул: 1170359
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,6А; 1,8Вт; Micro8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
4000+
14.59 грн
Мин. заказ: 4000
Кратность:  4000
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
Micro8(1479153)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-3,6А(1479071)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,8Вт(1449543)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 430 mg
 
Транзисторы с каналом P SMD IRF7606TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1170359
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,6А; 1,8Вт; Micro8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
4000+
14.59 грн
Мин. заказ: 4000
Кратность:  4000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
Micro8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-3,6А
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 430 mg