0 0 0
  8. IRF8707TRPBF

Транзисторы с каналом N SMD IRF8707TRPBF

 
IRF8707TRPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 785715
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9,1А; Idm: 88А; 1,6Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
38.93 грн
50+
24.07 грн
56+
18.19 грн
153+
17.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
9,1А(1479188)
Сопротивление в открытом состоянии
17,5мОм(1479030)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
9,3нC(1479081)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
88А(1789233)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IRF8707TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 785715
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9,1А; Idm: 88А; 1,6Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
38.93 грн
50+
24.07 грн
56+
18.19 грн
153+
17.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
9,1А
Сопротивление в открытом состоянии
17,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
9,3нC
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
88А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g