0 0 0
  7. IRF9389TRPBF

Транзисторы многоканальные IRF9389TRPBF

 
IRF9389TRPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000388
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 6,8/-4,6А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
30.32 грн
25+
26.12 грн
49+
20.45 грн
134+
19.36 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 1217 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
30/-30В(1596055)
Ток стока
6,8/-4,6А(1596101)
Сопротивление в открытом состоянии
27/64мОм(1596102)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,11 g
 
Транзисторы многоканальные IRF9389TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000388
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 6,8/-4,6А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
30.32 грн
25+
26.12 грн
49+
20.45 грн
134+
19.36 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 1217 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
30/-30В
Ток стока
6,8/-4,6А
Сопротивление в открытом состоянии
27/64мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,11 g