0 0 0
  8. IRFHM6342TR2PBF

Транзисторы с каналом N SMD IRFHM6342TR2PBF

 
IRFHM6342TR2PBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076899
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8,5А; 2,1Вт; PQFN2X2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
4000+
11.96 грн
Мин. заказ: 4000
Кратность:  4000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN2X2(1479009)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
8,5А(1479174)
Сопротивление в открытом состоянии
15,5мОм(1479180)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,1Вт(1487305)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
11нC(1479181)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 32,5 mg
 
Транзисторы с каналом N SMD IRFHM6342TR2PBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076899
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8,5А; 2,1Вт; PQFN2X2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
4000+
11.96 грн
Мин. заказ: 4000
Кратность:  4000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN2X2
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
8,5А
Сопротивление в открытом состоянии
15,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,1Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
11нC
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 32,5 mg