0 0 0
  8. IRFHM830TRPBF

Транзисторы с каналом N SMD IRFHM830TRPBF

 
IRFHM830TRPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076699
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; 2,7Вт; PQFN3.3X3.3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
4000+
37.26 грн
Мин. заказ: 4000
Кратность:  4000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN3.3X3.3(1479337)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
21А(1441374)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,7Вт(1741762)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 430 mg
 
Транзисторы с каналом N SMD IRFHM830TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076699
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; 2,7Вт; PQFN3.3X3.3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
4000+
37.26 грн
Мин. заказ: 4000
Кратность:  4000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN3.3X3.3
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
21А
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 430 mg