Транзисторы с каналом P SMD IRFHS9301TRPBF

 
IRFHS9301TRPBF
 
Артикул: 140779
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; 2,1Вт; PQFN2X2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
4000+
17.07 грн
Мин. заказ: 4000
Кратность:  4000
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN2X2(1479009)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-6А(1492315)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2,1Вт(1487305)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g
 
Транзисторы с каналом P SMD IRFHS9301TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 140779
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; 2,1Вт; PQFN2X2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
4000+
17.07 грн
Мин. заказ: 4000
Кратность:  4000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN2X2
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-6А
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g