0 0 0
  8. IRL1404ZSTRLPBF

Транзисторы с каналом N SMD IRL1404ZSTRLPBF

 
IRL1404ZSTRLPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 365161
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; Idm: 790А; 230Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
144.27 грн
5+
130.00 грн
10+
98.30 грн
28+
92.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1150 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
120А(1441550)
Сопротивление в открытом состоянии
3,1мОм(1479542)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
230Вт(1701908)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
75нC(1479015)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
790А(1790409)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,704 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IRL1404ZSTRLPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 365161
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; Idm: 790А; 230Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
144.27 грн
5+
130.00 грн
10+
98.30 грн
28+
92.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1150 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
120А
Сопротивление в открытом состоянии
3,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
230Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
75нC
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
790А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,704 g