0 0 0
  8. IRL60HS118

Транзисторы с каналом N SMD IRL60HS118

 
IRL60HS118
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076887
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; 5,8Вт; PQFN2X2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
94.28 грн
5+
61.05 грн
21+
47.14 грн
58+
44.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN2X2(1479009)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
13А(1441372)
Сопротивление в открытом состоянии
17мОм(1441314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
5,8Вт(1449552)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Заряд затвора
5,3нC(1693778)
Технология
OptiMOS™ 5(1599490)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,032 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IRL60HS118
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076887
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; 5,8Вт; PQFN2X2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
94.28 грн
5+
61.05 грн
21+
47.14 грн
58+
44.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN2X2
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
13А
Сопротивление в открытом состоянии
17мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
5,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Заряд затвора
5,3нC
Технология
OptiMOS™ 5
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,032 g