0 0 0
  7. IRL6372TRPBF

Транзисторы многоканальные IRL6372TRPBF

 
IRL6372TRPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000399
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 8,1А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
82.14 грн
5+
43.24 грн
25+
38.59 грн
30+
33.01 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2367 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
8,1А(1492299)
Сопротивление в открытом состоянии
17,9мОм(1596103)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,113 g
 
Транзисторы многоканальные IRL6372TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000399
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 8,1А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
82.14 грн
5+
43.24 грн
25+
38.59 грн
30+
33.01 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2367 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
8,1А
Сопротивление в открытом состоянии
17,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,113 g