0 0 0
  8. IRL80HS120

Транзисторы с каналом N SMD IRL80HS120

 
IRL80HS120
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076891
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 9А; 5,8Вт; PQFN2X2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.36 грн
5+
38.42 грн
25+
34.29 грн
34+
30.32 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN2X2(1479009)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
9А(1441543)
Сопротивление в открытом состоянии
32мОм(1441272)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
5,8Вт(1449552)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Заряд затвора
4,7нC(1479217)
Технология
OptiMOS™ 5(1599490)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IRL80HS120
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076891
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 9А; 5,8Вт; PQFN2X2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.36 грн
5+
38.42 грн
25+
34.29 грн
34+
30.32 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN2X2
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
9А
Сопротивление в открытом состоянии
32мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
5,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Заряд затвора
4,7нC
Технология
OptiMOS™ 5
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g