0 0 0
  8. IRLB4030PBF

Транзисторы с каналом N THT IRLB4030PBF

 
IRLB4030PBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 958379
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 370Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
291.20 грн
3+
257.36 грн
5+
223.51 грн
13+
211.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 64 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
180А(1441541)
Сопротивление в открытом состоянии
4,3мОм(1479335)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
370Вт(1741804)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
87нC(1478994)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,987 g
 
Транзисторы с каналом N THT IRLB4030PBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 958379
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 370Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
291.20 грн
3+
257.36 грн
5+
223.51 грн
13+
211.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 64 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
180А
Сопротивление в открытом состоянии
4,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
370Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
87нC
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,987 g