0 0 0
  8. IRLL024NTRPBF

Транзисторы с каналом N SMD IRLL024NTRPBF

 
IRLL024NTRPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076903
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.18 грн
43+
23.03 грн
118+
21.79 грн
5000+
20.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1080 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напряжение сток-исток
55В(1441361)
Ток стока
4,4А(1441573)
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм(1441555)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,1Вт(1487305)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
10,4нC(1479138)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,214 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IRLL024NTRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076903
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.18 грн
43+
23.03 грн
118+
21.79 грн
5000+
20.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1080 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напряжение сток-исток
55В
Ток стока
4,4А
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
10,4нC
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,214 g