0 0 0
  8. IRLL024ZTRPBF

Транзисторы с каналом N SMD IRLL024ZTRPBF

 
IRLL024ZTRPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076904
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 4А; Idm: 40А; 1Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
107.26 грн
5+
46.56 грн
25+
41.79 грн
31+
32.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2718 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напряжение сток-исток
55В(1441361)
Ток стока
4А(1441365)
Сопротивление в открытом состоянии
60мОм(1441262)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Заряд затвора
11нC(1479181)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
40А(1748037)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,193 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IRLL024ZTRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076904
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 4А; Idm: 40А; 1Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
107.26 грн
5+
46.56 грн
25+
41.79 грн
31+
32.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2718 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напряжение сток-исток
55В
Ток стока
4А
Сопротивление в открытом состоянии
60мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Заряд затвора
11нC
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,193 g