0 0 0
  8. IRLR2905TRPBF

Транзисторы с каналом N SMD IRLR2905TRPBF

 
IRLR2905TRPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076933
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
79.07 грн
3+
50.62 грн
10+
45.04 грн
24+
40.39 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1216 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
55В(1441361)
Ток стока
30А(1441514)
Сопротивление в открытом состоянии
27мОм(1479328)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
48нC(1479306)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
160А(1741661)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,392 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IRLR2905TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076933
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
79.07 грн
3+
50.62 грн
10+
45.04 грн
24+
40.39 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1216 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
55В
Ток стока
30А
Сопротивление в открытом состоянии
27мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
48нC
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
160А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,392 g