0 0 0
  8. SI4435DYTRPBF

Транзисторы с каналом P SMD SI4435DYTRPBF

 
SI4435DYTRPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 402057
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; Idm: -50А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
68.97 грн
37+
26.64 грн
102+
25.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 219 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-6,4А(1588746)
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм(1441284)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-50А(1810523)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,108 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI4435DYTRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 402057
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; Idm: -50А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
68.97 грн
37+
26.64 грн
102+
25.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 219 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-6,4А
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,108 g