0 0 0
  8. SKW25N120

Транзисторы IGBT THT SKW25N120

 
SKW25N120
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 221354
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 25А; 313Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 250.98 грн
2+
862.23 грн
4+
815.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 8 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
25А(1440980)
Ток коллектора в импульсе
84А(1441649)
Время включения
85нс(1492963)
Время выключения
760нс(1693401)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
313Вт(1741812)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,16 g
 
Транзисторы IGBT THT SKW25N120
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 221354
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 25А; 313Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 250.98 грн
2+
862.23 грн
4+
815.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 8 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
25А
Ток коллектора в импульсе
84А
Время включения
85нс
Время выключения
760нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
313Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,16 g