0 0 0
  8. SPP18P06PHXKSA1

Транзисторы с каналом P THT SPP18P06PHXKSA1

 
SPP18P06PHXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 141222
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,7А; 81,1Вт; PG-TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
109.54 грн
14+
73.82 грн
38+
69.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 43 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO220-3(1599688)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-18,7А(1492418)
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом(1492358)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
81,1Вт(1741913)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технология
SIPMOS™(1596125)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,018 g
 
Транзисторы с каналом P THT SPP18P06PHXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 141222
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,7А; 81,1Вт; PG-TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
109.54 грн
14+
73.82 грн
38+
69.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 43 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO220-3
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-18,7А
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
81,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Технология
SIPMOS™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,018 g