Памяти SRAM параллельные IS61LV12824-10TQLI

 
IS61LV12824-10TQLI
 
Артикул: 231429
IC: память SRAM; 3МбSRAM; 128Кx24бит; 3,3В; 10нс; TQFP100; -40÷85°C
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
689.02 грн
2+
662.82 грн
5+
626.31 грн
25+
600.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ISSI(788)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...85°C(1819326)
Корпус
TQFP100(1453709)
Рабочее напряжение
3,3В(1437870)
Тип микросхемы
память SRAM(1775161)
Вид памяти
SRAM(1444522)
Структура памяти
128Кx24бит(1717338)
Время доступа
10нс(1444532)
Kind of interface
параллельный(1774882)
Память
3Мб SRAM(1980732)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,2 g
 
Памяти SRAM параллельные IS61LV12824-10TQLI
ISSI
Артикул: 231429
IC: память SRAM; 3МбSRAM; 128Кx24бит; 3,3В; 10нс; TQFP100; -40÷85°C
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
689.02 грн
2+
662.82 грн
5+
626.31 грн
25+
600.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ISSI
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...85°C
Корпус
TQFP100
Рабочее напряжение
3,3В
Тип микросхемы
память SRAM
Вид памяти
SRAM
Структура памяти
128Кx24бит
Время доступа
10нс
Kind of interface
параллельный
Память
3Мб SRAM
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,2 g