0 0 0
  7. IXA70I1200NA

Модули IGBT IXA70I1200NA

 
IXA70I1200NA
 
IXYS
Артикул: 268830
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 65А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 087.69 грн
2+
1 973.39 грн
10+
1 912.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
65А(1478929)
Ток коллектора в импульсе
150А(1441723)
Рассеиваемая мощность
350Вт(1701906)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Технология
XPT™(1746878)
Дополнительная информация: Масса брутто: 34,54 g
 
Модули IGBT IXA70I1200NA
IXYS
Артикул: 268830
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 65А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 087.69 грн
2+
1 973.39 грн
10+
1 912.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
65А
Ток коллектора в импульсе
150А
Рассеиваемая мощность
350Вт
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Технология
XPT™
Дополнительная информация: Масса брутто: 34,54 g