0 0 0
  8. IXBH16N170

Транзисторы IGBT THT IXBH16N170

 
IXBH16N170
 
IXYS
Артикул: 221057
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 286.89 грн
2+
920.35 грн
3+
869.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ(1440940)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
16А(1440971)
Ток коллектора в импульсе
120А(1441628)
Время включения
220нс(1640042)
Время выключения
940нс(1742883)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
72нC(1479338)
Технология
FRED(1714399) BiMOSFET™(1742772)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,08 g
 
Транзисторы IGBT THT IXBH16N170
IXYS
Артикул: 221057
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 286.89 грн
2+
920.35 грн
3+
869.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
16А
Ток коллектора в импульсе
120А
Время включения
220нс
Время выключения
940нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
250Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
72нC
Технология
FRED
Технология
BiMOSFET™
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,08 g