0 0 0
  8. IXBH16N170A

Транзисторы IGBT THT IXBH16N170A

 
IXBH16N170A
 
IXYS
Артикул: 221058
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
983.30 грн
3+
929.91 грн
30+
894.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ(1440940)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
10А(1440949)
Ток коллектора в импульсе
40А(1645250)
Время включения
43нс(1519214)
Время выключения
370нс(1711184)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
150Вт(1701910)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
65нC(1479501)
Технология
BiMOSFET™(1742772)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,085 g
 
Транзисторы IGBT THT IXBH16N170A
IXYS
Артикул: 221058
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
983.30 грн
3+
929.91 грн
30+
894.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
10А
Ток коллектора в импульсе
40А
Время включения
43нс
Время выключения
370нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
150Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
65нC
Технология
BiMOSFET™
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,085 g