0 0 0
  8. IXBH42N170

Транзисторы IGBT THT IXBH42N170

 
IXBH42N170
 
IXYS
Артикул: 221061
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 42А; 360Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 717.98 грн
2+
1 624.75 грн
3+
1 623.96 грн
30+
1 594.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ(1440940)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
42А(1441031)
Ток коллектора в импульсе
300А(1441736)
Время включения
224нс(1742884)
Время выключения
1,07мкс(1742885)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
360Вт(1702121)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
188нC(1711211)
Технология
FRED(1714399) BiMOSFET™(1742772)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,1 g
 
Транзисторы IGBT THT IXBH42N170
IXYS
Артикул: 221061
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 42А; 360Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 717.98 грн
2+
1 624.75 грн
3+
1 623.96 грн
30+
1 594.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
42А
Ток коллектора в импульсе
300А
Время включения
224нс
Время выключения
1,07мкс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
360Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
188нC
Технология
FRED
Технология
BiMOSFET™
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,1 g