0 0 0
  8. IXBH6N170

Транзисторы IGBT THT IXBH6N170

 
IXBH6N170
 
IXYS
Артикул: 221064
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
632.69 грн
2+
570.54 грн
3+
568.15 грн
5+
539.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ(1440940)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
6А(1440922)
Ток коллектора в импульсе
36А(1742888)
Время включения
104нс(1742889)
Время выключения
700нс(1441630)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
75Вт(1701926)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
17нC(1479101)
Технология
BiMOSFET™(1742772)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,11 g
 
Транзисторы IGBT THT IXBH6N170
IXYS
Артикул: 221064
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
632.69 грн
2+
570.54 грн
3+
568.15 грн
5+
539.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
6А
Ток коллектора в импульсе
36А
Время включения
104нс
Время выключения
700нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
75Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
17нC
Технология
BiMOSFET™
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,11 g