0 0 0
  8. IXBK55N300

Транзисторы IGBT THT IXBK55N300

 
IXBK55N300
 
IXYS
Артикул: 221066
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 55А; 625Вт; TO264
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
7 449.37 грн
10+
7 309.43 грн
25+
7 143.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 25 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264(1492053)
Напряжение коллектор-эмиттер
3кВ(1742767)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
55А(1478925)
Ток коллектора в импульсе
600А(1441748)
Время включения
637нс(1751810)
Время выключения
475нс(1441625)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
625Вт(1741891)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
335нC(1747346)
Технология
BiMOSFET™(1742772)
Дополнительная информация: Масса брутто: 9,87 g
 
Транзисторы IGBT THT IXBK55N300
IXYS
Артикул: 221066
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 55А; 625Вт; TO264
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
7 449.37 грн
10+
7 309.43 грн
25+
7 143.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 25 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO264
Напряжение коллектор-эмиттер
3кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
55А
Ток коллектора в импульсе
600А
Время включения
637нс
Время выключения
475нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
625Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
335нC
Технология
BiMOSFET™
Дополнительная информация: Масса брутто: 9,87 g