0 0 0
  8. IXBK64N250

Транзисторы IGBT THT IXBK64N250

 
IXBK64N250
 
IXYS
Артикул: 221067
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 2,5кВ; 64А; 735Вт; TO264
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
11 500.60 грн
10+
11 284.49 грн
25+
11 030.16 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264(1492053)
Напряжение коллектор-эмиттер
2,5кВ(1733707)
Напряжение затвор - эмиттер
±25В(1628598)
Ток коллектора
64А(1645198)
Ток коллектора в импульсе
600А(1441748)
Время включения
632нс(1742770)
Время выключения
397нс(1742771)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
735Вт(1742768)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
400нC(1742769)
Технология
FRED(1714399) BiMOSFET™(1742772)
Дополнительная информация: Масса брутто: 10 g
 
Транзисторы IGBT THT IXBK64N250
IXYS
Артикул: 221067
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 2,5кВ; 64А; 735Вт; TO264
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
11 500.60 грн
10+
11 284.49 грн
25+
11 030.16 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO264
Напряжение коллектор-эмиттер
2,5кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±25В
Ток коллектора
64А
Ток коллектора в импульсе
600А
Время включения
632нс
Время выключения
397нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
735Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
400нC
Технология
FRED
Технология
BiMOSFET™
Дополнительная информация: Масса брутто: 10 g