0 0 0
  8. IXBK75N170

Транзисторы IGBT THT IXBK75N170

 
IXBK75N170
 
IXYS
Артикул: 966096
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 75А; 1,04кВт; TO264
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 255.09 грн
25+
4 175.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 25 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264(1492053)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ(1440940)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
75А(1441616)
Ток коллектора в импульсе
580А(1742773)
Время включения
277нс(1742774)
Время выключения
840нс(1742775)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
1,04кВт(1742092)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
0,35мкC(1950543)
Технология
BiMOSFET™(1742772)
Дополнительная информация: Масса брутто: 9,83 g
 
Транзисторы IGBT THT IXBK75N170
IXYS
Артикул: 966096
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 75А; 1,04кВт; TO264
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 255.09 грн
25+
4 175.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 25 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO264
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
75А
Ток коллектора в импульсе
580А
Время включения
277нс
Время выключения
840нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
1,04кВт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
0,35мкC
Технология
BiMOSFET™
Дополнительная информация: Масса брутто: 9,83 g