0 0 0
  7. IXBN42N170A

Модули IGBT IXBN42N170A

 
IXBN42N170A
 
IXYS
Артикул: 268831
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 622.72 грн
10+
2 574.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 4 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Обратное напряжение макс.
1,7кВ(1441074)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
21А(1586622)
Ток коллектора в импульсе
265А(1746884)
Рассеиваемая мощность
313Вт(1741812)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Технология
BiMOSFET™(1742772)
Дополнительная информация: Масса брутто: 36,86 g
 
Модули IGBT IXBN42N170A
IXYS
Артикул: 268831
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 622.72 грн
10+
2 574.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 4 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Обратное напряжение макс.
1,7кВ
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
21А
Ток коллектора в импульсе
265А
Рассеиваемая мощность
313Вт
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Технология
BiMOSFET™
Дополнительная информация: Масса брутто: 36,86 g