0 0 0
  7. IXBN75N170

Модули IGBT IXBN75N170

 
IXBN75N170
 
IXYS
Артикул: 268832
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 75А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
6 764.42 грн
10+
6 717.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 11 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Обратное напряжение макс.
1,7кВ(1441074)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
75А(1441616)
Ток коллектора в импульсе
680А(1750702)
Рассеиваемая мощность
625Вт(1741891)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Технология
BiMOSFET™(1742772)
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,09 g
 
Модули IGBT IXBN75N170
IXYS
Артикул: 268832
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 75А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
6 764.42 грн
10+
6 717.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 11 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Обратное напряжение макс.
1,7кВ
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
75А
Ток коллектора в импульсе
680А
Рассеиваемая мощность
625Вт
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Технология
BiMOSFET™
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,09 g