0 0 0
  8. IXBT10N170

Транзисторы IGBT SMD IXBT10N170

 
IXBT10N170
 
IXYS
Артикул: 220542
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
738.07 грн
2+
665.42 грн
3+
662.33 грн
5+
628.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 29 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268(1625135)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ(1440940)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
10А(1440949)
Ток коллектора в импульсе
40А(1645250)
Время включения
63нс(1695186)
Время выключения
1,8мкс(1444694)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
140Вт(1740827)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
30нC(1479265)
Технология
BiMOSFET™(1742772)
Дополнительная информация: Масса брутто: 4 g
 
Транзисторы IGBT SMD IXBT10N170
IXYS
Артикул: 220542
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
738.07 грн
2+
665.42 грн
3+
662.33 грн
5+
628.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 29 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
10А
Ток коллектора в импульсе
40А
Время включения
63нс
Время выключения
1,8мкс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
140Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
30нC
Технология
BiMOSFET™
Дополнительная информация: Масса брутто: 4 g