0 0 0
  8. IXBT24N170

Транзисторы IGBT SMD IXBT24N170

 
IXBT24N170
 
IXYS
Артикул: 220545
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 24А; 250Вт; TO268
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 833.19 грн
2+
1 733.50 грн
10+
1 708.77 грн
30+
1 666.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 23 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268(1625135)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ(1440940)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
24А(1441030)
Ток коллектора в импульсе
230А(1634221)
Время включения
190нс(1751796)
Время выключения
1285нс(1751797)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
0,14мкC(1950534)
Технология
BiMOSFET™(1742772)
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,08 g
 
Транзисторы IGBT SMD IXBT24N170
IXYS
Артикул: 220545
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 24А; 250Вт; TO268
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 833.19 грн
2+
1 733.50 грн
10+
1 708.77 грн
30+
1 666.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 23 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
24А
Ток коллектора в импульсе
230А
Время включения
190нс
Время выключения
1285нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
250Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
0,14мкC
Технология
BiMOSFET™
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,08 g