0 0 0
  8. IXBT2N250

Транзисторы IGBT SMD IXBT2N250

 
IXBT2N250
 
IXYS
Артикул: 220546
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 2,5кВ; 2А; 32Вт; TO268
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 349.93 грн
3+
1 276.04 грн
10+
1 256.97 грн
30+
1 220.42 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 11 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268(1625135)
Напряжение коллектор-эмиттер
2,5кВ(1733707)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
2А(1440893)
Ток коллектора в импульсе
13А(1748973)
Время включения
310нс(1748974)
Время выключения
252нс(1748975)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
32Вт(1614700)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
10,6нC(1636469)
Технология
BiMOSFET™(1742772)
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,01 g
 
Транзисторы IGBT SMD IXBT2N250
IXYS
Артикул: 220546
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 2,5кВ; 2А; 32Вт; TO268
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 349.93 грн
3+
1 276.04 грн
10+
1 256.97 грн
30+
1 220.42 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 11 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268
Напряжение коллектор-эмиттер
2,5кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
2А
Ток коллектора в импульсе
13А
Время включения
310нс
Время выключения
252нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
32Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
10,6нC
Технология
BiMOSFET™
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,01 g