0 0 0
  8. IXBT42N170

Транзисторы IGBT SMD IXBT42N170

 
IXBT42N170
 
IXYS
Артикул: 1174654
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 42А; 360Вт; D3PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 856.01 грн
2+
1 755.11 грн
30+
1 687.57 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D3PAK(1622346)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ(1440940)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
42А(1441031)
Ток коллектора в импульсе
300А(1441736)
Время включения
224нс(1742884)
Время выключения
1,07мкс(1742885)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
360Вт(1702121)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
188нC(1711211)
Технология
FRED(1714399) BiMOSFET™(1742772)
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,04 g
 
Транзисторы IGBT SMD IXBT42N170
IXYS
Артикул: 1174654
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 42А; 360Вт; D3PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 856.01 грн
2+
1 755.11 грн
30+
1 687.57 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
D3PAK
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
42А
Ток коллектора в импульсе
300А
Время включения
224нс
Время выключения
1,07мкс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
360Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
188нC
Технология
FRED
Технология
BiMOSFET™
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,04 g