0 0 0
  8. IXBT42N170A

Транзисторы IGBT SMD IXBT42N170A

 
IXBT42N170A
 
IXYS
Артикул: 220548
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 21А; 357Вт; TO268
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 746.64 грн
2+
1 651.58 грн
30+
1 624.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268(1625135)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ(1440940)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
21А(1586622)
Ток коллектора в импульсе
265А(1746884)
Время включения
33нс(1587343)
Время выключения
308нс(1751795)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
357Вт(1740831)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
188нC(1711211)
Технология
BiMOSFET™(1742772)
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,06 g
 
Транзисторы IGBT SMD IXBT42N170A
IXYS
Артикул: 220548
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 21А; 357Вт; TO268
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 746.64 грн
2+
1 651.58 грн
30+
1 624.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
21А
Ток коллектора в импульсе
265А
Время включения
33нс
Время выключения
308нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
357Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
188нC
Технология
BiMOSFET™
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,06 g