0 0 0
  8. IXBT42N300HV

Транзисторы IGBT SMD IXBT42N300HV

 
IXBT42N300HV
 
IXYS
Артикул: 220549
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 42А; 500Вт; TO268HV
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 671.80 грн
30+
3 530.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 16 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268HV(1500575)
Напряжение коллектор-эмиттер
3кВ(1742767)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
42А(1441031)
Ток коллектора в импульсе
400А(1441739)
Время включения
652нс(1751808)
Время выключения
950нс(1751809)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
500Вт(1701905)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
200нC(1479291)
Технология
BiMOSFET™(1742772)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3,967 g
 
Транзисторы IGBT SMD IXBT42N300HV
IXYS
Артикул: 220549
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 42А; 500Вт; TO268HV
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 671.80 грн
30+
3 530.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 16 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268HV
Напряжение коллектор-эмиттер
3кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
42А
Ток коллектора в импульсе
400А
Время включения
652нс
Время выключения
950нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
500Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
200нC
Технология
BiMOSFET™
Дополнительная информация: Масса брутто: 3,967 g