0 0 0
  8. IXBX75N170

Транзисторы IGBT THT IXBX75N170

 
IXBX75N170
 
IXYS
Артикул: 983462
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 75А; 1,04кВт; PLUS247™
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 159.05 грн
30+
4 098.58 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 30 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PLUS247™(1692687)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ(1440940)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
75А(1441616)
Ток коллектора в импульсе
580А(1742773)
Время включения
277нс(1742774)
Время выключения
840нс(1742775)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
1,04кВт(1742092)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
0,35мкC(1950543)
Технология
FRED(1714399) BiMOSFET™(1742772)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,78 g
 
Транзисторы IGBT THT IXBX75N170
IXYS
Артикул: 983462
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 75А; 1,04кВт; PLUS247™
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 159.05 грн
30+
4 098.58 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 30 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
PLUS247™
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
75А
Ток коллектора в импульсе
580А
Время включения
277нс
Время выключения
840нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
1,04кВт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
0,35мкC
Технология
FRED
Технология
BiMOSFET™
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,78 g